面内分極を用いた2次元強誘電半導体メモリを開発 ― 新記録方式による高密度次世代不揮発性メモリ ―（真島豊教授）
準備中
国立大学法人東京科学大学（旧：東京工業大学）総合研究院フロンティア材料研究所
Copyright(c) 2011- Materials & Structures Laboratory, Institute of Integrated Research, Institute of Science Tokyo. All Rights Reserved.
国立大学法人東京科学大学（旧：東京工業大学）総合研究院フロンティア材料研究所
© Materials & Structures Laboratory.
